 AEC-Q100最新的版本是Rev_J，刚刚发布于2023年8月，因为之前本人翻译了Rev H版本，借此机会也开始进行J版本的更新翻译。  AEC Q100 Rev J版本的封面 全文翻译工作正在进行，完成后会发布出来，如下是先对版本变化内容点进行的更新总结翻译内容：  AEC Q100 Rev J版本变更内容汇总 本部分简要描述了AEC-Q100 Rev-J文档与之前的文档版本AEC-Q100 Rev-H(2014年9月11日)相比所做的更改。标点符号和文本内容的完善改进不包括在这个摘要中。 下文格式为：章节 – 变更内容 1.2.1 – 车规参考文件: 增加了对AEC-Q006, SAE J1879和IATF 16949的参考;在参考清单中增加了AEC-Q100子规范以进行澄清 1.2.3 - 工业规范参考文件: 增加了对J-STD-002, JESD94, JESD671, JEP155, JEP157, JEP178的参考 1.2.4 - 对已经作废文件的标注: 删除这部分内容 1.3.1 - AEC-Q100的资质认证声明: ESD等级报告适应要求的指南 新增1.3.6 – Flip-Chip倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)封装配置: 增加了FC-BGA的新定义 新增图1 - 倒装芯片BGA封装配置说明: 增加了说明FC-BGA的图片 新增2.3 - 客户特定的生命周期要求(任务剖面): 在文档的正文中添加新章节来定义附录7切入点 3.3 – 认证和再认证的标准: 明确包括初始认证 新增3.6 - 使用铜(Cu)线互连的器件认证: 增加了使用铜线的器件认证章节 4.3 – 老化可靠性试验: 增加了技术认证建议 图3: 更新以适应表2中的变化点 表2 –认证试验方法: o列注: 在对应的测试项目中增加注F、C、W o测试A1: 增加开盖检测要求 o测试A2: 增加了临时/中间测试时的温度要求 o测试A3: 增加了对UHST的优先选择 o测试A4: 更改0级的要求增加了对开盖检测可用性的要求 o测试A5: 重新制定触发标准，以有效识别适用该测试项目的产品 o测试B1: 增加替代测试序列，增加数据漂移分析要求 o测试C3: 澄清了J-STD-002的应用 o增加了新的测试C7 (BST – 凸块剪切测试) o测试E2: 增加高级CMOS节点的验收标准 o测试E3: 增加高级CMOS节点的验收标准 o表2图例: 增加了注C参考铜线器件，注F用于FC-BGA器件特定测试，注W用于未在模具中覆盖绑线的器件 表3 -工艺变更时选择对应认证实验的指南: o增加了新的测试C7 (BST –凸块剪切测试) o增加了新的晶圆凸块部分和工艺变更项目重新分配层，凸块金属，凸块材料和凸块场地转移 附录1 - 产品认证家族的定义: 完整修订 A1.3 -装配工艺:增加FC-BGA的参考 附录2 - Q100设计、实施和资质认证 增加了新的12a部分- 晶圆凸块和子项UBM堆叠和厚度，UBM尺寸，凸块尺寸和凸块材料 附录模板4A - AEC-Q100认证测试计划: 根据表2的更改进行重新制作 附录模板4B - AEC-Q100通用数据: 根据表2的更改进行重新制作 附录7 新的流程图描述，为读者提供更清晰的信息 表A7.1: 澄清这是一个计算例子，并非此处所述的标准条件 如上就是对AEC Q100 Rev J最新版文件变化点的整理和内容翻译。 |
